周琦

周琦:男，电子科技大学副教授。博士。2012年毕业于香港科技大学获博士学位，同年加入电子科技大学微电子与固体电子学院。

专注于第三代宽禁带新型半导体材来自料、器件及其集成技术的研究，尤其在氮化镓(GaN)功率器件新结构、模型/器件物理、先进制备工艺与GaN功率集成技术领域具有较好的研究基础。开发出一款硅基GaN(GaN-on-Si)栅控横向功率整流器新结构，器件性能达到国际报道的同类器件360百科最高水平。开发出一种高效、低损伤原子层刻蚀技术，利用该及厂南海引字需技术制备的增强型GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件性能达到国际领先水平。研究成果发表于行业顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》、《IEEE Trans. 始千音买家on Electron Devices》、《IEEE Microwave and Wirel和保纸ess Components Letter》及国际顶级会议IEDM、ISPSD。已在IEEE EDL、IEEE TED、IEEE MWCL等本领域顶级期刊和IEDM、ISPSD等国际顶级套制道脸一送总会议共发表论文43篇。研粮煤林约吸艺采断业究成果被功率半导体世界最著名学者J. B. Baliga (IEEE fellow, 2010预年美国国家科学技术奖获得者)发表于Semicond. Sci. and Tech.的 Invited Re前示抗代端需束view Paper及中国科学院院士郝跃教授的综述性文章作为高压 InAlN/G掌取日带误校搞部跑aN HEMT的代表性工作所引用。参加国际重要学术会议15次，邀请报告1次，口头报告4次。申请中国发明专象架利5项。被IEEE-TED和IEEE-ED风品长L评为2013及2014年度金牌审稿人(Golden Reviewers)。