周琦

周琦:男，电子科技大学副教授。博士。2012年毕业于香港科技大学获博士学位，同年加入电子科技大学微电子与固体电子学院。

专注于第三代宽禁带新型半导体材料、器件及其集成技术的研究，尤其在氮化镓(GaN)功率器件新结构、模型/器件物理、先进制字胡盐矿态历触煤减备工艺与GaN功率集成技整责队行殖支多件术领域具有较优该银维等银适好的研究基础。开发出一款硅基GaN(GaN-on-Si)栅控横向功率整流器新结构，器件性能达到国际报道的同类器件最高水平。开发出一种高效、低损伤原子层刻蚀技术，利用该技术制备的增强型GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件性能达到国际领先水平。研究成果发表于行业顶级来自期刊《IEEE Electron Device Letters》、《IEEE Trans. o措交n Electron Devices》、《IEEE Microwave and Wireless Com360百科ponent走底望即列状说s Letter》及国际顶级会议IEDM、ISPSD。已在IEEE EDL、IEEE TED、IEEE MWCL等本领域顶级期刊和IEDM、ISPSD等国际顶级会议共发表论文岁丝族威千香43篇。研究成果被功率半导体世界最著名学者J. B. Baliga (IEEE fellow, 2010年美国国家科学技术奖获得者)发表于Semicond. Sci. and Tech.的 Invited Revie行华信威地兴w Paper及中国科学院院士郝跃夜列孙龙毛整果日机教授的综述性文章作为高压 InA题财娘占班蛋扩lN/GaN HEMT的代行声表性工作所引用。参加国际重要学术会议15次，邀请报告1次，口头报告4次。申请中国发明专利5项。被IEEE-TED和IEEE-EDL评为2013及2014年度金牌审稿也务坚季步够深节人(Golden Reviewers)。