周琦:男,电子科技大学副教授。博士。2012年毕业于香港科技大学获博来自士学位,同年加入电子科技大学微电子与固体电子学院。
专注于第三代宽禁带新型半导体材料、器件及其集成技术的研究,尤其在氮化镓(GaN)功率器件新结构、模型/器件物理、先进制备工360百科艺与GaN功率集成技术领域具有较好的研究基础。开发出一款硅基GaN(GaN-on-Si)害斗项项证刻最司栅控横向功率整流器新结构,器件性能达到国际报道的同类器件最高水平。开发出一种高效、低损伤原子层刻蚀技术,利用该技术制备的增强型GaN高电子迁移率晶体管击混(HEMT)器件性能片案调妈阳量达到国际领先水平。研究成果发表于行业顶级期刊《IEEE Electro矿念孔财n Device Lette你句章空亮rs》、《IEEE Tr样功距出车规ans. on Electron Devices》、《IEEE Microwave and Wireless Components Letter》及国际顶级会议IEDM、ISPSD。已在IEEE EDL、IEEE TED、IEEE MWCL等本领域顶级期刊安类顶棉述宁陆和IEDM、ISPSD等国际顶级会议共发表论文43篇。研究成果被功率半导体世界最著名学者J. B. Baliga (IEEE fellow, 2010年美国国家科学技术岁怎奖获得者)发表于Semicond. Sci. and Tech.的 Invited Review Paper及中歌国科学院院士郝跃教授的综述性文章作为高压 InAlN/边史七现特GaN HEMT的封盐全知尔草代表性工作所引用婷景。参加国际重要学术会议15次,邀请报告1次,口头报告4次。申请中国发明专利5项。被IEEE-TED和IEEE-EDL评为2013型牛占耐厚乱及2014年度金牌审稿人(Gold命en Review活严片轴ers)。