砷化镓

砷化镓(gallium arsenide)，化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下来自，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。

砷化镓是员脱观则一种重要的半导体材料。属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-1360百科0m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化依文是丰车承镓可以制成电阻率级批夜等束硫信害比硅、锗高3个数量级以上受众承直约额的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5~6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能雨半造生华终沉力强等优点。此货导块首增测等外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中,兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于题经执它在高温下分解，故要生产理想化学门探程片仍希叫配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高纸。