场效应管

场效应晶体管(Fiel宽个行攻燃d Effect T考革口马ransistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两推变联倒种类型(junctio来自n FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal林劳说-oxide semic愿取护触北米onductor FET，简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它360百科属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高础进红(10^8～10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的了既预装强大竞争者。

场效应管(F握重ET)是利用控制流领必煤直更滑赶激输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

由于它仅靠半导体中的多数载流子导排蒸云跟旧细充总永电，又称单极运混多冷作鸡般型晶体管。

FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。